Автор: Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) недавно наладил массовое производство чипов DDR5. Теперь их архитектуру изучили эксперты TechInsights: по мнению аналитиков, продукция Samsung, SK hynix и Micron опережает китайскую на три года. Тем не менее, производители комплектующих уже готовятся к распространению этой памяти — MSI выпустила оптимизированное для памяти CXMT обновление BIOS для материнских плат, адресованных китайским потребителям.
Для изучения эксперты TechInsights выбрали комплект производства Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) на 16-гигабитных чипах CXMT. Чип имеет размеры 8,19 × 8,18 мм, что даёт площадь 66,99 мм² и плотность 0,239 Гбит/мм²; кристалл герметизирован. Кристалл изготавливается с использованием новой технологии CXMT G4, предусматривающей размер элемента 16 нм и ячейки площадью 0,002 мкм² — её размер снизился на 20 % по сравнению с решением на основе предыдущей технологии G3 (18 нм). Шаг ячейки составляет 29,8, 41,7 и 47,9 нм для активной линии, а также линий wordline и bitline — такие же показатели были у поколения D1z (15,8–16,2 нм) в исполнении Samsung, SK hynix и Micron. Выход годной продукции у CXMT составляет 80 %, что является очень высоким показателем.
Ранее CXMT выпускала DRAM с использованием собственных технологий G1 (D2y, 23,8 нм) и G2 (D1x, 18,0 нм). Лидеры рынка в лице Samsung, SK hynix и Micron сейчас перешли на технологии 12–14 нм с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV), недоступного китайским производителям из-за американских санкций. Вашингтон запретил CXMT пользоваться оборудованием с американскими технологиями и поставлять свою продукцию в США. Samsung, для сравнения, уменьшила размеры кристалла до 6,46 × 7,57 мм, что соответствует площади 48,90 мм² и означает преимущество на 40 % перед CXMT. Это не помешало китайскому производителю догнать мировых лидеров по плотности чипов и выступить полноценным конкурентом, предложив меньшие ценники. Сейчас в её ассортименте значатся чипы DDR3L (2 и 4 Гбит), DDR4 (4 и 8 Гбит), LPDDR4X (6 и 8 Гбит), LPDDR5 (12 Гбит), а теперь и DDR5 (16 Гбит).
На чипах CXMT DDR5 уже вышли модули памяти от Gloway и Kingbank — они дешевле аналогов на чипах SK hynix, хотя и предлагают более высокие тайминги CL36-36-36-80 и CL36-40-40-96. Китайская оперативная память полностью совместима с современными платформами. MSI, в частности, выпустила в Китае материнские платы MAG B860 Tomahawk Wi-Fi, MAG B860M Mortar Wi-Fi и Pro B860M-A Wi-Fi по цене соответственно 1699 юаней ($235), 1499 юаней ($205) и 1299 юаней ($180), а последнее обновление BIOS для них предусматривает оптимизацию для чипов CXMT DDR5, обратил внимание ресурс Tom’s Hardware.
Samsung, SK hynix и Micron выпускали чипы с использованием технологии 16 нм в 2021 году, а сегодня они перешли на D1a/D1α и D1b/D1β с элементами 12–14 нм. Это свидетельствует о трёхлетнем технологическом разрыве между лидерами рынка и CXMT, но китайский производитель активно продвигается вперёд: он пропустил технологию 17 нм (D1y), с 18 нм сразу перешёл на 16 нм (D1z) и теперь активно работает над технологией следующего поколения — менее 15 нм и без EUV-литографии; осваивается и память типа HBM.
